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ALD可實現從(cong) 傳(chuan) 統的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結構和混合材料、多孔模板和具有均勻控製成分和物理化學性質的三維複雜納米結構。
原子沉積係統ALD
標準型（Standard ）設備
價(jia) 格低、質量高、可任選附件進行搭配
結構簡單，操作方便，後期維護簡單易行
用途廣，適合各種基底材料
原子層沉積係統ALD ——擴展型（Flexivol）設備
腔室體(ti) 積可根據用戶樣品的尺寸靈活調節，同一腔室可通過簡單的調節適用於(yu) 不同厚度的樣品
增多前驅體(ti) 源入口數目，避免腔室體(ti) 積增大對前驅體(ti) 化學源氣氛分布的影響
ALD原子層沉積係統——高度定製化（Non-Standard）設備
為(wei) 工業(ye) 客戶提供薄膜沉積方案
放大基於(yu) 標準研究型設備檢驗的相同技術
根據客戶的特殊需求，加工定製，滿足特殊應用及大規模的生產(chan) 需要
研發（R&D）服務
開發新的薄膜沉積方案
診斷、改進現有ALD的工藝
為(wei) 潛在的客戶做覆膜演示
薄膜沉積工藝谘詢
原子層沉積係統ALD技術參數
不鏽鋼材質腔室，根據客戶樣品尺寸有不同的腔室直徑（D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm）和高度（H = 20 mm, H = 50 mm）可選；前驅體(ti) 進樣係統標配四路（包含冷和熱兩(liang) 種前軀體(ti) ），可配至八路
前驅體(ti) 進樣係統配有快速氣動閥門
多段溫度控製
前驅體(ti) 溫控0-200 °C，精度1 °C
腔室溫控0-300 °C ，精度1 °C
進出腔室管路溫控0-150 °C ，精度1 °C
基本壓強 10^−1/10^−3 mbar
設備尺寸 1000x600x1000 mm
觸控控製係統
係統當前狀態信息顯示：氣流速度、溫度、壓力和閥門開度等
工藝監控：溫度和壓力等
偏差報警和安全鎖
菜單操作，實時監控
可增配選項
等離子體(ti) 發生器 借助等離子化的氣態原子替代水作為(wei) 氧化物來增強ALD性能
臭氧發生器 提供強氧化劑，增大ALD生長的前驅體(ti) 選擇範圍
石英晶體(ti) 微天平 在線監測薄膜沉積的厚度
工業(ye) 及非標研發係統
產(chan) 品分類
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