SiC基單層石墨烯電極

    SiC基單層石墨烯電極是在SiC基底上生長 1 個(ge) 15 x 15 mm²單層石墨烯樣品。

    SiC基單層石墨烯電極是由碳（C）原子組成的晶體(ti) 平麵，sp²鍵在蜂窩晶格中結合，其中碳與(yu) 三個(ge) 平麵內(nei) 鍵結合，而第四個(ge) 在垂直方向上是不飽和鍵。這種晶體(ti) 結構負責石墨烯的*特性。在本產(chan) 品中，石墨烯在Si端接SiC基板上形成。*形成的碳層稱為(wei) 界麵層或緩衝(chong) 層，它是絕緣的，因為(wei) 它的碳原子有三分之一與(yu) SiC基板共價(jia) 結合。外延石墨烯是指在界麵層之上形成的碳層，具有隔離單層石墨烯典型的線性分散。

    本產(chan) 品為(wei) 極耐用電極，適合多種使用。如果塗覆了塗層，無論采用何種沉積技術，都可以通過強酸或堿溶液（取決(jue) 於(yu) 塗層性質）去除塗層，而不會(hui) 影響石墨烯層。請注意，如果應用的電勢高於(yu) +2V，SiC 上的單層石墨烯可能會(hui) 以電化學方式降解。

規範
覆蓋率： 100%
厚度變化：< 10%="" of="" bi-layer="">
電導率類型：n型
薄板載體(ti) 密度：2 x 10¹² × 5 x 10¹²厘米^-2
移動性： 1500 - 2200 厘米²/V
基板類型：4H-SIC HPSI
基板厚度：0.5 毫米
基板長度： 15 毫米
基板寬度：15 毫米
基板方向：軸上
基板電阻率範圍：± 1 x 10⁵ °cm
基板微管密度（MPD）：標準
基板精加工：雙麵拋光 Si 麵 CMP